Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

IKW75N65ET7XKSA1

Name: Infineon IKW75N65ET7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW75N65ET7XKSA1
Price: 3631 CRC
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

726-IKW75N65ET7XKSA1

Fabricante N.º:

IKW75N65ET7XKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

Hoja de datos:

IKW75N65ET7XKSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Infineon Technologies IKW75N65ET7XKSA1

Disponibilidad

Existencias:: 0

Aún puede comprar este producto que se encuentra pendiente.

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 4 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-

Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡3 631	₡3 631
	₡2 169	₡21 690
	₡1 810	₡181 000
	₡1 740	₡835 200

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.35 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	80 A
Dp - Disipación de potencia :	333 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	IGBT7 T7
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Corriente de fuga puerta-emisor:	100 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	IGBTs
Nombre comercial:	TRENCHSTOP
Alias de las piezas n.º:	IKW75N65ET7 SP005348294

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IKW75N65ET7XKSA1 Hoja de datos (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Low Loss Duopack IGBTs

Infineon Technologies Low Loss Duopack IGBTs offer a robust humidity design with Trenchstop™ and Fieldstop™ technology. They feature a very soft, fast-recovery anti-parallel diode, short tail current, and very low V_CEsat.

IGBT7 Discretes

Infineon Technologies IGBT7 Discretes are the 7th generation of TRENCHSTOP™ IGBTs, created with micro-pattern trench technology. The advanced technology delivers unparalleled control and performance, resulting in significant loss reduction, improved efficiency, and increased power density in applications.