ALD212908ASAL

Name: Advanced Linear Devices ALD212908ASAL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD212908ASAL
Price: 4924 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

585-ALD212908ASAL

Fabricante N.º:

ALD212908ASAL

Fabricante:

Advanced Linear Devices

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos:

ALD212908ASAL Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	₡4 924	₡246 200
	₡4 101	₡410 100
	₡3 654	₡1 827 000
	₡3 416	₡3 416 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Advanced Linear Devices
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	10.6 V
Id - Corriente de drenaje continua:	80 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	14 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	820 mV
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 70 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EPAD
Empaquetado:	Tube
Marca:	Advanced Linear Devices
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	ALD212908A
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	10 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns
Peso de la unidad:	74 mg