Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

ALD310700SCL

Name: Advanced Linear Devices ALD310700SCL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD310700SCL
Price: 5400 CRC
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

585-ALD310700SCL

Fabricante N.º:

ALD310700SCL

Fabricante:

Advanced Linear Devices

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Hoja de datos:

ALD310700SCL Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Advanced Linear Devices ALD310700SCL

En existencias: 43

Existencias:: 43

Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 76
Plazo de entrega de fábrica:: 6

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-

Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡5 400	₡5 400
	₡3 584	₡35 840
	₡2 981	₡298 100
	₡2 975	₡1 487 500
	₡2 801	₡2 801 000
2 500	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Advanced Linear Devices
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-16
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	4 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	8 V
Id - Corriente de drenaje continua:	80 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.1 kOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	20 mV
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 70 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Advanced Linear Devices
Configuración:	Quad
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	ALD31070
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	4 P-Channel
Peso de la unidad:	666 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

ALD310700SCL Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

ALD31070x P-Channel EPAD® MOSFET Arrays

Advanced Linear Devices ALD31070x P-Channel EPAD^® MOSFET Arrays are high-precision monolithic quad p-channel MOSFET arrays. These MOSFET arrays belong to the EPAD^®matched pair MOSFET family. The ALD31070x MOSFET arrays are used for low-voltage and low-power small signal applications with low gate threshold voltages of 0V and -0.2V. These arrays are designed for exceptional matching of electrical device characteristics. Fabricated on the same monolithic chip, the ALD31070x arrays offer excellent temperature tracking characteristics. These MOSFET arrays feature a versatile design for various precision analog applications like current mirrors, matching circuits, and current sources.