EPC2014C

Name: EPC EPC2014C
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2014C
Price: 1276 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

65-EPC2014C

Fabricante N.º:

EPC2014C

Fabricante:

EPC

Descripción:

GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 276,00	₡1 276,00
	₡823,60	₡8 236,00
	₡556,22	₡55 622,00
	₡443,70	₡221 850,00
	₡418,18	₡418 180,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡367,72	₡919 300,00
	₡348,00	₡1 740 000,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	EPC
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LGA-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	10 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	16 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	6 V, - 4 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	eGaN FET
Marca:	EPC
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	Power Transistor
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	3,300 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290040
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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EPC2014C

Fabricante: EPC

Descripción: GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1

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GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1