EPC2214

Name: EPC EPC2214
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2214
Price: 1450 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

65-EPC2214

Fabricante N.º:

EPC2214

Fabricante:

EPC

Descripción:

GaN FETs EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 450	₡1 450
	₡934	₡9 340
	₡638	₡63 800
	₡512	₡256 000
	₡492	₡492 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡427	₡1 067 500
	₡413	₡2 065 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	EPC
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	BGA-9
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	10 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	20 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	6 V, - 4 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	1.8 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	eGaN FET
Marca:	EPC
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	Power Transistor
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	3,300 mg

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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EPC2214

Fabricante: EPC

Descripción: GaN FETs EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35

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GaN FETs EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35