EPC2308

Name: EPC EPC2308
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2308
Price: 3027.6 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

65-EPC2308

Fabricante N.º:

EPC2308

Fabricante:

EPC

Descripción:

GaN FETs EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

EPC2308 Hoja de datos (PDF)

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	₡3 027,60	₡3 027,60
	₡2 012,60	₡20 126,00
	₡1 438,40	₡143 840,00
	₡1 380,40	₡690 200,00
	₡1 305,00	₡1 305 000,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡1 119,40	₡3 358 200,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	EPC
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	63 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	6 V, - 4 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	11.7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	eGaN FET
Marca:	EPC
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	Power Transistor
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	30,300 mg

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EPC2308 Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290040
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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EPC2308

Fabricante: EPC

Descripción: GaN FETs EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

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GaN FETs EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN