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LF21064NTR

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Mouser N.º:

747-LF21064NTR

Fabricante N.º:

LF21064NTR

Fabricante:

IXYS Integrated Circuits

Descripción:

Gate Drivers HI LO Side DRVR 130mA SOIC(N)-14

Hoja de datos:

LF21064NTR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Controladores de puertas
Restricción de entrega:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Producto:	Driver ICs - Various
Tipo:	High-Side, Low-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-14
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	2 Output
Voltaje de alimentación - Mín.:	10 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	20 V
Tiempo de subida:	100 ns
Tiempo de caída:	35 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	IXYS Integrated Circuits
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo lógico:	CMOS, TTL
Tiempo de retardo de apagado máximo:	280 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo:	300 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Corriente de suministro operativa:	120 uA
Dp - Disipación de potencia :	1 W
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.:	30 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si

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Hoja de datos

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USHTS:: 8542390090
TARIC:: 8542399000
ECCN:: EAR99

High-Side & Low-Side Gate Driver ICs

IXYS High-Side and Low-Side Gate Driver ICs offer 600mA/290mA to 4.5A/4.5A sink/source output current capabilities. The devices feature a wide operating voltage range of 10V to 20V. Protections include undervoltage lockout (UVLO) and shoot-through. IXYS High-Side and Low-Side Gate Driver ICs operate in a -40°C to +125°C temperature range and are available in SOIC-8, -14, -16 industry-standard packages and pin-outs.

Gate Drivers for N-Channel MOSFETs & IGBTs

IXYS Gate Drivers for N-Channel MOSFETs and IGBTs include high-voltage high-speed gate drivers and three-phase gate driver ICs. These devices are designed to drive two N-channel MOSFETs or IGBTs in a half-bridge configuration or high-side / low-side configuration. The high-voltage technology enables the high side to switch to 600V in a bootstrap operation. The drivers provide feature high pulse current buffers designed for minimum driver cross conduction. Other features include logic inputs with 3.3V capability, Schmitt triggered logic inputs, and undervoltage lockout (UVLO) protection. IXYS Gate Drivers for N-Channel MOSFETs and IGBTs operate over an extended temperature range of -40°C to +125°C.