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IXFA72N30X3-TRL

Name: IXYS IXFA72N30X3-TRL
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFA72N30X3-TRL
Price: 6258 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXFA72N30X3-TRL

Fabricante N.º:

IXFA72N30X3-TRL

Fabricante:

IXYS

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₡-

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₡-

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡6 258	₡6 258
	₡4 895	₡48 950
	₡4 077	₡407 700
	₡3 393	₡1 696 500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	₡3 393	₡2 714 400

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

N.º de artículo del Fabricante:

Embalaje:

Tube

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡6 270

Mín.:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	300 V
Id - Corriente de drenaje continua:	72 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	19 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	82 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	390 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	11 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	36 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	25 ns
Serie:	HiPerFET
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	86 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	22 ns
Peso de la unidad:	4 g