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IXFN210N20P

Name: IXYS IXFN210N20P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN210N20P
Price: 26819.2 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXFN210N20P

Fabricante N.º:

IXFN210N20P

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Módulos MOSFET 188 Amps 200V 0.0105 Rds

Hoja de datos:

IXFN210N20P Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	₡26 819,20	₡26 819,20
	₡20 184,00	₡201 840,00
	₡18 780,40	₡1 878 040,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	200 V
Id - Corriente de drenaje continua:	188 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	10.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	1.07 kW
Serie:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	KR
País de origen:	KR
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	HiPerFET
Tipo:	HiperFET
Peso de la unidad:	30 g

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.