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IXFT120N15P

Name: IXYS IXFT120N15P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT120N15P
Price: 7557.4 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXFT120N15P

Fabricante N.º:

IXFT120N15P

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds

Hoja de datos:

IXFT120N15P Hoja de datos

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡7 557,40	₡7 557,40
	₡4 970,60	₡49 706,00
	₡4 141,20	₡496 944,00
	₡4 106,40	₡2 094 264,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	120 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	16 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	600 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	26 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	42 ns
Serie:	IXFT120N15
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	85 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	33 ns
Peso de la unidad:	4,500 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
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ECCN:: EAR99

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