IXTK90P20P

IXYS
747-IXTK90P20P
IXTK90P20P

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -90.0 Amps -200V 0.044 Rds

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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En existencias: 648

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡12 835,40 ₡12 835,40
₡8 891,40 ₡88 914,00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-264-3
P-Channel
1 Channel
200 V
90 A
44 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
205 nC
- 55 C
+ 150 C
890 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: PH
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: IXTK90P20
Cantidad de empaque de fábrica: 25
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Peso de la unidad: 10 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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