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IXTP44N10T

Name: IXYS IXTP44N10T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP44N10T
Price: 1577.6 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXTP44N10T

Fabricante N.º:

IXTP44N10T

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 100V 25.0 Rds

Hoja de datos:

IXTP44N10T Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	₡1 577,60	₡1 577,60
	₡690,20	₡6 902,00
	₡578,26	₡57 826,00
	₡538,24	₡269 120,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	44 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	30 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	27.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	130 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	32 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	47 ns
Serie:	IXTP44N10
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	36 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	21 ns
Peso de la unidad:	2 g

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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