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IXTY1R4N120P

Name: IXYS IXTY1R4N120P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTY1R4N120P
Price: 2934.8 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXTY1R4N120P

Fabricante N.º:

IXTY1R4N120P

Fabricante:

IXYS

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	1.4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	15 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	24.8 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	86 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	70
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	330 mg