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IPD60R180CM8XTMA1

Name: Infineon IPD60R180CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD60R180CM8XTMA
Price: 1299 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPD60R180CM8XTMA

Fabricante N.º:

IPD60R180CM8XTMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

IPD60R180CM8XTMA1 Hoja de datos (PDF)

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	₡1 299	₡1 299
	₡818	₡8 180
	₡586	₡58 600
	₡493	₡246 500
	₡473	₡473 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡433	₡1 082 500

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-252-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	18 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	180 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.7 V
Qg - Carga de puerta:	17 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	127 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	12.8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6 ns
Serie:	600V CM8
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	88.4 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	17.2 ns
Alias de las piezas n.º:	IPD60R180CM8 SP005578057

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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