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IPD60R650CEAUMA1

Name: Infineon IPD60R650CEAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD60R650CEAUMA1
Price: 562.6 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPD60R650CEAUMA1

Fabricante N.º:

IPD60R650CEAUMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

IPD60R650CEAUMA1 Hoja de datos (PDF)

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₡-,--

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡562,60	₡562,60
	₡439,06	₡4 390,60
	₡293,48	₡29 348,00
	₡227,94	₡113 970,00
	₡207,06	₡207 060,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡176,32	₡440 800,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	9.9 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	540 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	20.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	82 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	11 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8 ns
Serie:	CoolMOS CE
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	58 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns
Alias de las piezas n.º:	IPD60R650CE SP001396884
Peso de la unidad:	330 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

600V/650V CoolMOS™ CE N-Ch Power MOSFETs

Infineon 600V/650V CoolMOS™ CE N-Channel Power MOSFETs are designed according to the superjunction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements. These 600V/650V CoolMOS™ MOSFETs are cost optimized to meet typical requirements in consumer with no compromise on proven CoolMOS™ quality and reliability while still been price attractive. These devices target low power chargers for mobile devices and power tools, LCD, LED TV and LED lighting applications.

CoolMOS™ CE Power MOSFETs

Infineon's CoolMOS™ CE Power MOSFETs are a technology platform of high voltage power MOSFETs that are designed according to the super junction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements. CoolMOS™ CE portfolio offers 500V, 600V, 650V, 700V, and 800V devices targeting low power chargers for mobile devices and power tools, adapters for notebook and laptops, LCD, LED TV and LED lighting. This new series of CoolMOS™ is cost-optimized to meet typical requirements in consumers with no compromise on proven CoolMOS™ quality and reliability while still being price attractive.