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IR2233JTRPBF

Name: Infineon IR2233JTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IR2233JTRPBF
Price: 6055.2 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

942-IR2233JTRPBF

Fabricante N.º:

IR2233JTRPBF

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Controladores de puertas 1200V 3-Phase,0.5A OCP, OPAMP, FAULT,SD

Hoja de datos:

IR2233JTRPBF Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡6 055,20	₡6 055,20
	₡4 727,00	₡47 270,00
	₡4 396,40	₡109 910,00
	₡4 031,00	₡403 100,00
	₡3 857,00	₡964 250,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 500)
	₡3 741,00	₡1 870 500,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

IR2233JPbF

Embalaje:

Tube

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡5 608,60

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PLCC-32
Número de controladores:	6 Driver
Número de salidas:	6 Output
Corriente de salida:	500 mA
Voltaje de alimentación - Mín.:	10 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	20 V
Tiempo de subida:	90 ns
Tiempo de caída:	40 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	IR223X
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Características:	Independent
Tipo lógico:	CMOS, LSTTL
Tiempo de retardo de apagado máximo:	700 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo:	750 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Corriente de suministro operativa:	4 mA
Dp - Disipación de potencia :	2 W
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.:	1 us
Apagado:	Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica:	500
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si
Nombre comercial:	EiceDRIVER

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542310075
KRHTS:: 8542311000
TARIC:: 8542319000
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.

IR2133/IR2135/IR2233/IR2235 Gate Driver ICs

Infineon Technologies IR2133/IR2135/IR2233/IR2235 Gate Driver ICs feature three independent high-side and low-side referenced output channels for 3-phase applications. The Gate Driver ICs have a proprietary HVIC technology that enables ruggedized monolithic construction. The IR2133/IR2135/IR2233/IR2235 ICs have logic inputs compatible with CMOS or LSTTL outputs down to 2.5V logic. Additionally, the devices provide an independent operational amplifier. This amplifier permits analog feedback of bridge current via an external current sense resistor.

1200V Level-Shift Gate Drivers

Infineon 1200V Level-Shift Gate Drivers for Industrial Drives include 3-phase, half-bridge, and high and low side drivers suitable for IGBTs or MOSFETs. The 6ED2230S12T 3-phase 1200V SOI driver with integrated Bootstrap Diode (BSD) and overcurrent protection utilizes Infineon's unique Silicon-on-Insulator (SOI) level-shift technology. The 6ED2230S12T provides functional isolation with industry-leading negative VS robustness. It also provides reduced level-shift losses with the integrated bootstrap diode enabling a lower bill of material cost and smaller PCB footprint.

IR2233/IR2235 MOSFET & IGBT Drives

Infineon Technologies IR2233/IR2235 MOSFET and IGBT Drives feature three independent high- and low-side referenced output channels for 3-phase applications. Proprietary HVIC technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with CMOS or LSTTL outputs down to 2.5V logic. An independent operational amplifier provides analog feedback of bridge current via an external current sense resistor.