+52 33 3612 7301

Parte de la familia de especialistas de TTI Contactar a Mouser (USA) +52 33 3612 7301 Comentarios

En existencias

RoHS

Iniciar sesión
¿Nuevo cliente? Comience aquí
Iniciar sesión
¿Nuevo cliente? Comience aquí

Historial de pedidos

Fabricante:	Fabricante N.º:	Cant.	Total otorgado:

Ver carrito

Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

PCDD1065G1_L2_00001

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

241-PCDD1065G1L20001

Fabricante N.º:

PCDD1065G1_L2_00001

Fabricante:

Panjit

Descripción:

SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode

Hoja de datos:

PCDD1065G1_L2_00001 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Panjit PCDD1065G1_L2_00001

Restricción de entrega:

Mouser actualmente no vende este producto en su región.

Disponibilidad

Existencias:: Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
Restricción de entrega:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-252AA-3
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	10 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.5 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	550 A
Ir - Corriente inversa:	7 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	SiC Gen.1
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Panjit
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Dp - Disipación de potencia :	99.3 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Peso de la unidad:	321,700 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.