Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

GANSPIN611

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

511-GANSPIN611

Fabricante N.º:

GANSPIN611

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers 650 V enhancement mode GaN high-power density half-bridge with high-voltage driver

Complete su diseño

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

GANSPIN611 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre STMicroelectronics GANSPIN611

Restricción de entrega:

Mouser actualmente no vende este producto en su región.

Disponibilidad

Existencias:: Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición
Restricción de entrega:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
Empaquetado:	Tray
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tipo de producto:	Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
Serie:	GANSPIN
Cantidad de empaque de fábrica:	1560
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Nombre comercial:	GaNSPIN
Peso de la unidad:	194 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

GANSPIN611 Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

GANSPIN611 GaN High-Power Density Half-Bridge

STMicroelectronics GANSPIN611 GaN High-Power Density Half-Bridge is an advanced power system-in-package integrating two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration driven by a state-of-the-art high-voltage, high-frequency gate driver. The integrated power GaNs have an R_DS(ON) of 138mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage, while the integrated bootstrap diode can easily supply the high side of the embedded gate driver.