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SCT020H120G3AG

Name: STMicroelectronics SCT020H120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT020H120G3AG
Price: 10695.2 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-SCT020H120G3AG

Fabricante N.º:

SCT020H120G3AG

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A

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	₡10 695,20	₡10 695,20
	₡8 566,60	₡85 666,00
	₡7 406,60	₡740 660,00
	₡7 400,80	₡3 700 400,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	₡6 548,20	₡6 548 200,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Calificación:	AEC-Q100
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	IT
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors

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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.