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SCT040W65G3-4AG

Name: STMicroelectronics SCT040W65G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT040W65G3-4AG
Price: 7273.2 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-SCT040W65G3-4AG

Fabricante N.º:

SCT040W65G3-4AG

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡7 273,20	₡7 273,20
	₡5 307,00	₡53 070,00
	₡4 309,40	₡430 940,00
	₡4 303,60	₡2 582 160,00
	₡4 100,60	₡4 920 720,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	HiP247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	63 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	37.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 200 C
Dp - Disipación de potencia :	240 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	IT
Tiempo de caída:	19 ns
Empaquetado:	Tube
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	7.4 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	29.6 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13 ns

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.