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SCT070W120G3AG

Name: STMicroelectronics SCT070W120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT070W120G3AG
Price: 7047 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-SCT070W120G3AG

Fabricante N.º:

SCT070W120G3AG

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A

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	₡7 047	₡7 047
	₡5 736	₡57 360
	₡4 785	₡478 500
	₡3 979	₡2 387 400

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Calificación:	AEC-Q100
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors

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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.