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SCTW100N65G2AG

Name: STMicroelectronics SCTW100N65G2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTW100N65G2AG
Price: 20004 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-SCTW100N65G2AG

Fabricante N.º:

SCTW100N65G2AG

Fabricante:

STMicroelectronics

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	HiP-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	100 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	69 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Qg - Carga de puerta:	162 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 200 C
Dp - Disipación de potencia :	420 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Serie:	SCTW100N65G2AG
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Peso de la unidad:	4,500 g