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STB80NF55-06T4

Name: STMicroelectronics STB80NF55-06T4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB80NF55-06
Price: 2006.8 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STB80NF55-06

Fabricante N.º:

STB80NF55-06T4

Fabricante:

STMicroelectronics

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡2 006,80	₡2 006,80
	₡1 310,80	₡13 108,00
	₡916,40	₡91 640,00
	₡794,60	₡397 300,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	₡742,40	₡742 400,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Fabricante:

STMicroelectronics

Fabricante N.º:

STB150NF55T4

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 120 Amp

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	55 V
Id - Corriente de drenaje continua:	80 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	6.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	189 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	300 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	65 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	150 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	155 ns
Serie:	STB80NF55, STP80NF55
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	125 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	27 ns
Peso de la unidad:	4 g