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STD6N60DM2

Name: STMicroelectronics STD6N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD6N60DM2
Price: 1189 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STD6N60DM2

Fabricante N.º:

STD6N60DM2

Fabricante:

STMicroelectronics

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	₡1 189	₡1 189
	₡754	₡7 540
	₡503	₡50 300
	₡412	₡206 000
	₡361	₡361 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡328	₡820 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3.2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.1 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.25 V
Qg - Carga de puerta:	6.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	60 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	19.6 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5.6 ns
Serie:	STD6N60DM2
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	12 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9.2 ns
Peso de la unidad:	360 mg