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STD95N4LF3

Name: STMicroelectronics STD95N4LF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD95N4LF3
Price: 1380.4 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STD95N4LF3

Fabricante N.º:

STD95N4LF3

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40 Volt 80 Amp

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Hoja de datos:

STD95N4LF3 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 380,40	₡1 380,40
	₡875,80	₡8 758,00
	₡609,00	₡60 900,00
	₡484,88	₡242 440,00
	₡475,02	₡475 020,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡436,74	₡1 091 850,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	80 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 16 V, 16 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	70 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	110 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q100
Nombre comercial:	STripFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	IT
Tiempo de caída:	11 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	150 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	45 ns
Serie:	STD95N4LF3
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	45 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7.5 ns
Peso de la unidad:	330 mg

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Hoja de datos

STD95N4LF3 Hoja de datos (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

STD95N4LF3 STripFET™ Power MOSFET

The STMicroelectronics STD95N4LF3 STripFET™ Power MOSFET is the latest refinement of the unique STMicroelectronics single feature size strip-based process with fewer critical alignment steps. The STMicroelectronics STD95N4LF3 STripFET Power MOSFET has extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics, and low gate charge. This STMicroelectronics device is ideal for automotive switching applications.