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STDRIVEG212QTR

Name: STMicroelectronics STDRIVEG212QTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG212QTR
Price: 2239 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STDRIVEG212QTR

Fabricante N.º:

STDRIVEG212QTR

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Controladores de puertas High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡2 239	₡2 239
	₡2 013	₡20 130
	₡1 723	₡43 075
	₡1 549	₡154 900
	₡1 293	₡323 250
	₡1 247	₡623 500
	₡1 044	₡1 044 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡882	₡2 646 000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	Gate Driver
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-18
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	3 Output
Corriente de salida:	1.8 A
Voltaje de alimentación - Mín.:	10.3 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	18 V
Configuración:	Inverting, Non-Inverting
Tiempo de subida:	22 ns
Tiempo de caída:	13 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Kit de desarrollo:	EVLSTDRIVEG212
Tiempo de retardo de apagado máximo:	65 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo:	65 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Corriente de suministro operativa:	900 uA
Voltaje de salida:	220 V
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.:	65 ns
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.8 Ohms
Apagado:	Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	GaN
Nombre comercial:	STDRIVE

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STDRIVEG212 220V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG212 220V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 220V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG212 optimized for driving high-speed GaN.