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STDRIVEG611Q

Name: STMicroelectronics STDRIVEG611Q
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG611Q
Price: 1745.8 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STDRIVEG611Q

Fabricante N.º:

STDRIVEG611Q

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Controladores de puertas High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 745,80	₡1 745,80
	₡1 310,80	₡13 108,00
	₡1 200,60	₡30 015,00
	₡1 078,80	₡107 880,00
	₡986,00	₡246 500,00
	₡957,00	₡478 500,00
	₡945,40	₡945 400,00
	₡922,20	₡2 305 500,00
	₡904,80	₡4 433 520,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	Gate Drivers
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-18
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	3 Output
Voltaje de alimentación - Mín.:	10.6 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	18 V
Configuración:	Inverting, Non-Inverting
Tiempo de subida:	11 ns
Tiempo de caída:	22 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Voltaje de entrada - Máx.:	20 V
Voltaje de entrada - Mín.:	3.3 V
Tiempo de retardo de apagado máximo:	60 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo:	60 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	Gate Drivers
Apagado:	No Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica:	4900
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	GaN
Peso de la unidad:	44 mg

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Hoja de datos

STDRIVEG611Q Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STDRIVEG611 Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG611 Half-Bridge Gate Driver is a high-voltage half-bridge gate driver for N-channel Enhancement Mode GaN. The high-side driver section is designed to stand a voltage rail up to 600V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG611 optimized for driving high-speed GaN.