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STF3N62K3

Name: STMicroelectronics STF3N62K3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF3N62K3
Price: 916 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STF3N62K3

Fabricante N.º:

STF3N62K3

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡916	₡916
	₡437	₡4 370
	₡382	₡38 200
	₡307	₡153 500
	₡274	₡274 000
	₡249	₡498 000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	620 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2.7 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.5 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	13 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	45 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	15.6 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6.8 ns
Serie:	STF3N62K3
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	22 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9 ns
Peso de la unidad:	2 g

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs

STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3™ Power MOSFETs are created through increased fine-tuning of STMicroelectronic's strip-based PowerMESH™ layout, combined with optimization of the vertical structure. In addition to significantly reducing ON-resistance, special attention has been taken to ensure these MOSFETs offer dynamic performance with a large avalanche capability. STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs are offered in voltages up to 1200V. Applications include switch-mode low-power supplies (SMPS), DC-DC converters, switching, and offline power supplies.