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STGB40V60F

Name: STMicroelectronics STGB40V60F
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGB40V60F
Price: 2152 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STGB40V60F

Fabricante N.º:

STGB40V60F

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed

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Hoja de datos:

STGB40V60F Hoja de datos (PDF)

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡2 152	₡2 152
	₡1 404	₡14 040
	₡963	₡96 300
	₡847	₡423 500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	₡789	₡789 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	600 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.8 V
Configuración:	Single
Colector de Corriente Continua a 25 C:	80 A
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 nA
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK
Dp - Disipación de potencia :	283 W
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Serie:	STGB40V60F
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	IGBTs
Tecnología:	Si
Peso de la unidad:	2 g

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STGB40V60F Hoja de datos (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.