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STGD20N45LZAG

Name: STMicroelectronics STGD20N45LZAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGD20N45LZAG
Price: 1131 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STGD20N45LZAG

Fabricante N.º:

STGD20N45LZAG

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ

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₡-

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₡-

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 131	₡1 131
	₡725	₡7 250
	₡488	₡48 800
	₡387	₡193 500
	₡355	₡355 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡342	₡855 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	475 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.25 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 12 V, 16 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	25 A
Dp - Disipación de potencia :	150 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	STGD20N45LZAG
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector:	25 A
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Corriente de fuga puerta-emisor:	625 uA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	330 mg

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Automotive-Grade Internally Clamped IGBTs

STMicroelectronics Automotive-Grade Internally Clamped IGBTs use the advanced PowerMESH™ technology optimized for coil driving in harsh environments in automotive ignition systems. These devices show very low on-state voltage and very high SCIS energy capability over a wide operating temperature range. The ESD-protected logic level gate input and an integrated gate resistor mean no external protection circuitry is required.