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STL110N4F7AG

Name: STMicroelectronics STL110N4F7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL110N4F7AG
Price: 1108 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STL110N4F7AG

Fabricante N.º:

STL110N4F7AG

Fabricante:

STMicroelectronics

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	₡1 108	₡1 108
	₡708	₡7 080
	₡469	₡46 900
	₡384	₡192 000
	₡336	₡336 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡305	₡915 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerFLAT-5x6-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	108 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	15 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	94 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	16 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	85 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	27 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	18 ns
Peso de la unidad:	76 mg