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STP105N3LL

Name: STMicroelectronics STP105N3LL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP105N3LL
Price: 951 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STP105N3LL

Fabricante N.º:

STP105N3LL

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡951	₡951
	₡452	₡4 520
	₡404	₡40 400
	₡318	₡159 000
	₡278	₡278 000
	₡266	₡532 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	150 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	42 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	140 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	STripFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	23.4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	91 ns
Serie:	STP105N3LL
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	24.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	19 ns
Peso de la unidad:	2 g

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET VI™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET VI™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET technology with an updated gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET uses a trench technology for high efficiency and low R_DS(on) required by various automotive and industrial switching applications such as motor control, UPS, DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. These STMicroelectronics MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

STMicroelectronics STripFET VI Power MOSFETs

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.