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STPSC30G12WL

Name: STMicroelectronics STPSC30G12WL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC30G12WL
Price: 8694 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STPSC30G12WL

Fabricante N.º:

STPSC30G12WL

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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	₡8 694	₡8 694
	₡6 490	₡64 900
	₡5 614	₡561 400
	₡5 365	₡3 219 000
	₡4 965	₡5 958 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	DO-247-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	30 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión directa:	1.35 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	250 A
Ir - Corriente inversa:	15 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Peso de la unidad:	6 g

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CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

Standard Products

STMicroelectronics Standard Products are a broad range of industry-standard and drop-in replacements for the most popular general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs. The Standard Products are manufactured to the highest quality standards with many AECQ-qualified for automotive applications. A comprehensive set of STMicroelectronics design aids, including SPICE, IBIS models, and simulation tools, is available to make adding to a design-in easy.

STPSC30G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes

STMicroelectronics STPSC30G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes are in a DO-247 package with long leads. The STMicroelectronics STPSC30G12 is an ultrahigh performance power Schottky rectifier manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200V rating. Thanks to the Schottky construction, no recovery is shown during turn-off, and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.