STQ1HNK60R-AP

STMicroelectronics
511-STQ1HNK60R-AP
STQ1HNK60R-AP

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 7.3 Ohm typ., 1 A SuperMESH PowerMOSFET in TO-92 package

Modelo ECAD:
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En existencias: 7 435

Existencias:
7 435 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
15 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡597,40 ₡597,40
₡374,68 ₡3 746,80
₡244,76 ₡24 476,00
₡189,08 ₡94 540,00
₡171,10 ₡171 100,00
Envase tipo caja "Ammo Pack" completo (pedir en múltiplos de 2000)
₡145,58 ₡291 160,00
₡138,62 ₡554 480,00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-92-3
N-Channel
1 Channel
600 V
400 mA
8.5 Ohms
- 30 V, 30 V
2.25 V
10 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
Ammo Pack
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: SG
País de difusión: Not Available
País de origen: SG
Tiempo de caída: 25 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 5 ns
Serie: STQ1HNK60R
Cantidad de empaque de fábrica: 2000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 19 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 6.5 ns
Peso de la unidad: 453,600 mg
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99