Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

STQ2HNK60ZR-AP

Name: STMicroelectronics STQ2HNK60ZR-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STQ2HNK60ZR-AP
Price: 684 CRC
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

511-STQ2HNK60ZR-AP

Fabricante N.º:

STQ2HNK60ZR-AP

Fabricante:

STMicroelectronics

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Existencias:: 3 357 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 15 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-

Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡684	₡684
	₡484	₡4 840
	₡325	₡32 500
	₡257	₡128 500
	₡230	₡230 000
Envase tipo caja "Ammo Pack" completo (pedir en múltiplos de 2000)
	₡201	₡402 000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-92-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	500 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.8 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	15 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	3 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperMESH
Empaquetado:	Ammo Pack
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	50 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	30 ns
Serie:	STQ2HNK60ZR-AP
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	13 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns
Peso de la unidad:	453,600 mg