STU10NM60N
Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto
Ver especificaciones del producto
511-STU10NM60N
STU10NM60N
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
Hoja de datos:
En existencias: 2 998
-
Existencias:
-
2 998Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
En pedido:
-
2 998
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
16Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Las cantidades superiores a 2998 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Precio (CRC)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| ₡2 326 | ₡2 326 | |
| ₡1 520 | ₡15 200 | |
| ₡1 189 | ₡118 900 | |
| ₡998 | ₡499 000 | |
| ₡922 | ₡922 000 | |
| ₡864 | ₡2 592 000 |
Hoja de datos
PCN
- IPAK and Short IPAK in ECOPACK 2, graded Moulding Compound Assembly capacity expansion - Nantong Fujitsu Microelectronics (China) Subcontractor (PDF)
- MDmesh II Technology, Power MOSFET Transistors, 8" Wafer size Front-end Capacity Extension - Ang Mo Kio (Singapore) (PDF)
- PRODUCT CHANGE NOTIFICATION (PDF)
- Product Change Notification (PDF)
- Product Change Notification (PDF)
- Product Change Notification (PDF)
- STMicroelectronics - PCN 5-18-10 (PDF)
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
