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TSM007NM03LCR RGG

Name: Taiwan Semiconductor TSM007NM03LCR RGG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM007NM03LCRRGG
Price: 1839 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

821-TSM007NM03LCRRGG

Fabricante N.º:

TSM007NM03LCR RGG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V, 120A, Single, N-Channel Low Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

TSM007NM03LCR RGG Hoja de datos

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₡-

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 839	₡1 839
	₡1 201	₡12 010
	₡916	₡91 600
	₡771	₡385 500
	₡690	₡690 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	₡667	₡3 335 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PDFN56-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	384 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	700 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Qg - Carga de puerta:	208 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	156 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	123 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	97 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	159 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	21 ns
Alias de las piezas n.º:	TSM007NM03LCR
Peso de la unidad:	130 mg