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TSM210N02CX RFG

Name: Taiwan Semiconductor TSM210N02CX RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM210N02CXRFG
Price: 371.2 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

821-TSM210N02CXRFG

Fabricante N.º:

TSM210N02CX RFG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V, 6.7A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos:

TSM210N02CX RFG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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₡-,--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡371,20	₡371,20
	₡227,94	₡2 279,40
	₡146,16	₡14 616,00
	₡110,78	₡55 390,00
	₡99,18	₡99 180,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡84,10	₡252 300,00
	₡77,14	₡462 840,00
	₡70,76	₡636 840,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	6.7 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	19 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	300 mV
Qg - Carga de puerta:	5.8 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.56 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	9.2 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	14.4 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	30 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5 ns
Alias de las piezas n.º:	TSM210N02CX
Peso de la unidad:	8 mg