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TSM4NB60CP ROG

Name: Taiwan Semiconductor TSM4NB60CP ROG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM4NB60CPROG
Price: 887 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

821-TSM4NB60CPROG

Fabricante N.º:

TSM4NB60CP ROG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡887	₡887
	₡561	₡5 610
	₡374	₡37 400
	₡293	₡146 500
	₡267	₡267 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡241	₡602 500

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.2 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	14.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	50 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	19 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	20 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	30 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns
Alias de las piezas n.º:	TSM4NB60CP
Peso de la unidad:	330 mg