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CSD13202Q2

Name: Texas Instruments CSD13202Q2
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13202Q2
Price: 400 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD13202Q2

Fabricante N.º:

CSD13202Q2

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Power MOSFET 12 V 9.3mohm

Hoja de datos:

CSD13202Q2 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡400	₡400
	₡248	₡2 480
	₡167	₡16 700
	₡121	₡60 500
	₡103	₡103 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡87	₡261 000
	₡79,5	₡477 000
	₡74,2	₡667 800

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WSON-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	12 V
Id - Corriente de drenaje continua:	14.4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	9.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	580 mV
Qg - Carga de puerta:	5.1 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.7 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	CN
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	13.6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	44 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	28 ns
Serie:	CSD13202Q2
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	11 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4.5 ns
Peso de la unidad:	6 mg

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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ECCN:: EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.