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CSD13383F4

Name: Texas Instruments CSD13383F4
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13383F4
Price: 273 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

595-CSD13383F4

Fabricante N.º:

CSD13383F4

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CSD13383F4 12-V Ncha MOSFET 3-PICOSTAR A A 595-CSD13383F4T

Hoja de datos:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡273	₡273
	₡175	₡1 750
	₡111	₡11 100
	₡80,6	₡40 300
	₡69,6	₡69 600
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡52,8	₡158 400
	₡48,1	₡288 600
	₡42,3	₡380 700

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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD13383F4T

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡824

Mín.:

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Fabricante:

Texas Instruments

Fabricante N.º:

CSD13383F4T

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-Channel FemtoF ET MOSFET A 595-CSD A 595-CSD13383F4

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PICOSTAR-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	12 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2.9 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	44 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	700 mV
Qg - Carga de puerta:	2.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	PH
País de difusión:	CN
País de origen:	PH
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	CSD13383F4
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	0,400 mg

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Hoja de datos

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PCN

SPICE Models

CSD13383F4 PSpice Model (Rev. A)

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

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