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CSD17322Q5A

Name: Texas Instruments CSD17322Q5A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17322Q5A
Price: 997.6 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD17322Q5A

Fabricante N.º:

CSD17322Q5A

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET

Hoja de datos:

CSD17322Q5A Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡997,60	₡997,60
	₡632,20	₡6 322,00
	₡423,40	₡42 340,00
	₡334,08	₡167 040,00
	₡305,08	₡305 080,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡281,88	₡704 700,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VSONP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	12.4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.6 V
Qg - Carga de puerta:	3.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	3 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	TW
País de origen:	CN
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	CSD17322Q5A
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	84,100 mg

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CSD17322Q5A TINA-TI Reference Design

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.