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CSD17552Q5A

Name: Texas Instruments CSD17552Q5A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17552Q5A
Price: 928 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD17552Q5A

Fabricante N.º:

CSD17552Q5A

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD175 A 595-CSD17578Q5A

Hoja de datos:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡928	₡928
	₡586	₡5 860
	₡391	₡39 100
	₡307	₡153 500
	₡280	₡280 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡248	₡620 000

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Texas Instruments

Fabricante N.º:

CSD17578Q5A

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17578Q5AT

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VSONP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	60 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	9 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	3 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	3.6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	77 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	11.4 ns
Serie:	CSD17552Q5A
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	12.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7.6 ns
Peso de la unidad:	84,300 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

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Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

TI N-Channel 8-23-12

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