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CSD17571Q2

Name: Texas Instruments CSD17571Q2
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17571Q2
Price: 394.4 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD17571Q2

Fabricante N.º:

CSD17571Q2

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-CH Pwr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Hoja de datos:

CSD17571Q2 Hoja de datos

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡394,40	₡394,40
	₡245,34	₡2 453,40
	₡157,76	₡15 776,00
	₡120,06	₡60 030,00
	₡102,08	₡102 080,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡85,84	₡257 520,00
	₡80,04	₡480 240,00
	₡71,34	₡642 060,00
	₡68,44	₡1 642 560,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WSON-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	22 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	24 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.3 V
Qg - Carga de puerta:	2.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.5 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	CN
País de origen:	CN
Kit de desarrollo:	BOOSTXL-ULN2003
Tiempo de caída:	2.6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	43 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	19 ns
Serie:	CSD17571Q2
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	8 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.3 ns
Peso de la unidad:	5,600 mg

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Hoja de datos

CSD17571Q2 Hoja de datos

PCN

SPICE Models

CSD17571Q2 PSpice Model (Rev. A)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

TI N-Channel 8-23-12

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.