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CSD17573Q5BT

Name: Texas Instruments CSD17573Q5BT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17573Q5BT
Price: 1647 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD17573Q5BT

Fabricante N.º:

CSD17573Q5BT

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17573Q5B

Hoja de datos:

CSD17573Q5BT Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 647	₡1 647
	₡1 067	₡10 670
	₡566	₡56 600
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	₡566	₡141 500
	₡539	₡269 500
	₡516	₡516 000
	₡498	₡1 245 000
	₡494	₡2 470 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD17573Q5B

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡1 270

Mín.:

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Fabricante:

Texas Instruments

Fabricante N.º:

CSD17573Q5B

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17573Q5BT

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VSON-CLIP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	100 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.19 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.1 V
Qg - Carga de puerta:	64 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	195 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	PH
País de difusión:	CN
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	7 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	181 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	20 ns
Serie:	CSD17573Q5B
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	40 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6 ns
Peso de la unidad:	91,700 mg