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CSD17577Q3A

Name: Texas Instruments CSD17577Q3A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17577Q3A
Price: 556.8 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD17577Q3A

Fabricante N.º:

CSD17577Q3A

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17577Q3AT

Hoja de datos:

CSD17577Q3A Hoja de datos

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₡-,--

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Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡556,80	₡556,80
	₡344,52	₡3 445,20
	₡224,46	₡22 446,00
	₡172,84	₡86 420,00
	₡156,60	₡156 600,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡133,98	₡334 950,00
	₡125,86	₡629 300,00
	₡125,28	₡1 252 800,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD17577Q3AT

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡1 148,40

Mín.:

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Texas Instruments

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCH NexFET MOSFE T A 595-CSD17577Q3A A 595-CSD17577Q3A

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VSONP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	83 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.1 V
Qg - Carga de puerta:	27 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	53 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	76 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	31 ns
Serie:	CSD17577Q3A
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	20 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4 ns
Peso de la unidad:	27,700 mg

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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.