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CSD18509Q5B

Name: Texas Instruments CSD18509Q5B
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18509Q5B
Price: 1804 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD18509Q5B

Fabricante N.º:

CSD18509Q5B

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD18509Q5BT

Hoja de datos:

CSD18509Q5B Hoja de datos

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₡-

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 804	₡1 804
	₡1 172	₡11 720
	₡812	₡81 200
	₡684	₡342 000
	₡679	₡679 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡632	₡1 580 000

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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD18509Q5BT

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡2 256

Mín.:

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Texas Instruments

Fabricante N.º:

CSD18509Q5BT

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1850 A 595-CSD18509Q5B

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VSON-CLIP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	50 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.4 V
Qg - Carga de puerta:	150 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	195 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	11 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	19 ns
Serie:	CSD18509Q5B
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	57 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9 ns
Peso de la unidad:	134,400 mg

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.