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CSD18511KTTT

Name: Texas Instruments CSD18511KTTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18511KTTT
Price: 1693.6 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

595-CSD18511KTTT

Fabricante N.º:

CSD18511KTTT

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18511KTT

Hoja de datos:

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₡-,--

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₡-,--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 50)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 693,60	₡1 693,60
	₡841,00	₡8 410,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 50)
	₡841,00	₡42 050,00
	₡632,20	₡63 220,00
	₡609,00	₡304 500,00
	₡585,80	₡585 800,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD18511KTT

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡1 397,80

Mín.:

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Texas Instruments

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CSD18511KTT

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18511KTTT

Comparar con la parte actual

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	194 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	64 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	188 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	249 S
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6 ns
Serie:	CSD18511KTT
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	17 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns
Peso de la unidad:	4 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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