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CSD18535KTT

Name: Texas Instruments CSD18535KTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18535KTT
Price: 2308.4 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

595-CSD18535KTT

Fabricante N.º:

CSD18535KTT

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18535KTTT

Hoja de datos:

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₡-,--

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₡-,--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡2 308,40	₡2 308,40
	₡1 519,60	₡15 196,00
	₡1 067,20	₡106 720,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 500)
	₡893,20	₡446 600,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD18535KTTT

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡3 068,20

Mín.:

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Texas Instruments

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CSD18535KTTT

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18535KTT

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	200 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.9 V
Qg - Carga de puerta:	81 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	300 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	263 S
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3 ns
Serie:	CSD18535KTT
Cantidad de empaque de fábrica:	500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	19 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9 ns
Peso de la unidad:	2 g

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ECCN:: EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

TI N-Channel 8-23-12

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.