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CSD23285F5

Name: Texas Instruments CSD23285F5
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD23285F5
Price: 336 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD23285F5

Fabricante N.º:

CSD23285F5

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23285F5T

Hoja de datos:

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₡-

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₡-

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡336	₡336
	₡208	₡2 080
	₡133	₡13 300
	₡100	₡50 000
	₡88,7	₡88 700
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡76	₡228 000
	₡69	₡414 000
	₡62,6	₡563 400

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD23285F5T

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡899

Mín.:

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Texas Instruments

Fabricante N.º:

CSD23285F5T

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23285F5

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PICOSTAR-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	12 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3.3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	80 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 6 V, 6 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	950 mV
Qg - Carga de puerta:	4.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.4 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PicoStar
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	PH
País de difusión:	CN
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	8.9 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5 ns
Serie:	CSD23285F5
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	30 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns
Peso de la unidad:	0,700 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs offer an ultra small footprint (0402 case size) with ultra-low resistance (70% less than competitors). These MOSFETs include ultra low Qg, Qgd specifications and have an optimized ESD rating. They are available in a land grid array (LGA) package. This package maximizes silicon content which makes them ideal for space-constrained applications. These power MOSFETs offer low power dissipation and low switching losses for improved light load performance. Typical applications for these devices include handheld, mobile, load switching, general purpose switching, and battery applications.